經(jīng)過幾年的追趕，國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片由合肥長鑫在2019年量產(chǎn)，首發(fā)的是19nm工藝，今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm工藝內(nèi)存芯片了，不過首發(fā)產(chǎn)品不是傳聞中的DDR5，而是DDR4。
來自大摩的分析稱，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經(jīng)達到了40%，預計Q2季度就會給客戶供應(yīng)產(chǎn)品，其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內(nèi)存更有優(yōu)勢。
至于生產(chǎn)方面，大摩稱合肥長鑫的產(chǎn)能今年會增加到8萬片晶圓/月，并在北京新建工廠，量產(chǎn)17nm工藝內(nèi)存芯片。
此前的報道中，長鑫還會研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存，再下一代的10G5工藝中，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。
此外，長鑫在2020年、2021年分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標，2022年的產(chǎn)能目標是12萬片晶圓/月，未來的產(chǎn)能目標是30萬片晶圓/月。（作者：憲瑞）
關(guān)鍵詞： 國產(chǎn)17nm工藝 內(nèi)存芯片 良率已達 預計Q2季度 開始供貨
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