5 月 23 日消息，據 ITF World 2023 會議上的報告，英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 介紹了英特爾在關鍵領域的最新進展。其中之一便是介紹英特爾未來將采用的堆疊式 CFET 晶體管架構。這是英特爾首次向公眾介紹這種新型晶體管設計，英特爾在會上概述了其晶體管技術的大概發展路徑，即按照“Planar FET 平面場效應管”、“FinFET 鰭式場效應管(當前主流)”、“RibbonFET 全環繞柵極場效應管”、“CFET 堆疊式場效應管”順序演進發展，但沒有提及具體的量產日期或時間表。

英特爾的 GAA 設計堆疊式 CFET 晶體管架構是在 imec 的幫助下開發的，設計旨在增加晶體管密度，通過將 n 和 p 兩種 MOS 器件相互堆疊在一起，并允許堆疊 8 個納米片(RibbonFET 使用的 4 個納米片的兩倍)來實現更高的密度。目前，英特爾正在研究兩種類型的 CFET，包括單片式和順序式，但尚未確定最終采用哪一種，或者是否還會有其他類型的設計出現，未來應該會有更多細節信息公布。

此前在 2021 年的“英特爾加速創新：制程工藝和封裝技術線上發布會”上，英特爾已經確認了 RibbonFET 將成歷史，在其 20A 工藝上，將引入采用 Gate All Around(GAA)設計的 RibbonFET 晶體管架構，以取代自 2011 年推出的 FinFET 晶體管架構。新技術將加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。

值得注意的是，英特爾的路線圖及其 CFET 架構并不是獨立提出的，而是與 IMEC 機構長期合作的結果。IT之家注：IMEC 全稱為“Interuniversity Microelectronics Centre”微電子研究中心，是與臺積電、ASML 齊名的芯片行業重要機構，這家機構聯合了例如英特爾、臺積電、三星與 ASML、應用材料、Cadence 和 Synopsys 此類的半導體設計軟件(EDA)公司，致力于進行未來半導體技術的研究。