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離子注入機與光刻機、刻蝕機和鍍膜設備并稱為芯片制造的四大核心工藝裝備，也是目前國產化率非常低的前道工藝設備。記者近日從青島四方思銳智能技術有限公司獲悉，思銳智能近年不斷提高自主創新能力，已在今年推出了國產離子注入設備，并在近期發布了高能離子注入機系列。

據專業研究機構調研數據顯示，2022年全球半導體離子注入設備的市場規模為206億元，預計2023年增至211億元；而2022年中國大陸的離子注入設備市場規模為66億元，預計2023年有望增至74億元，增速高于全球平均值。目前，大束流離子注入機、高能離子注入機和中束流離子注入機分別占據61%、18%和20%市場份額。

離子注入機具有極高的進入門檻和市場集中度，長期以來全球離子注入機技術和市場主要被美國企業所把控，應用材料和亞舍立2家美國公司占據了全球90%以上市場份額。2014年印發的《國家集成電路產業發展推進綱要》明確指出，要研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，加快產業化進程，增強產業配套能力。

思銳智能董事長聶翔在接受記者采訪時表示：“市場繁榮增長的另一面，卻是離子注入機的國產化率僅有約3%，尤其是高能離子注入機，在離子注入機當中屬于難度最高的機型，目前國產化進程幾乎處于空白狀態。我們希望通過加速離子注入設備的國產化，助力中國集成電路產業的高質量發展。”

為應對離子注入機國產化的迫切需求，思銳智能發揮整合海外技術資源優勢，組建了一支海外技術研發專家與本土技術團隊相結合的核心技術團隊，開啟了離子注入設備的研發攻關，并推出高能離子注入機產品。

聶翔表示，離子注入機在集成電路制程中的應用范圍極為廣泛，涵蓋邏輯存儲、傳感器、射頻器件、特色功率器件等。思銳智能的離子注入機業務將聚焦硅基集成電路先進工藝制程，滿足HEI和HCI的國產化替代需求；迎接以碳化硅為代表的第三代半導體快速發展趨勢，拓展系列碳化硅離子注入機；未來形成具備全系列離子注入機產品開發的能力。

今年6月，思銳智能已經推出了公司首款高能離子注入機SRII-8M設備；在大束流離子注入機方面，預計將于年底推出公司低能大束流離子注入機SRII-60。除此之外，在碳化硅功率器件市場，思銳智能計劃于明年推出公司碳化硅離子注入機系列。